Распространенная схема транзисторов


Рядом с ним кристалл (по крайней мере, большая его часть), который был установлен на аноде внутри белого круга. Барс в статье упомянул своё общение с Кеном, но этой переводимой статьи тогда еще не было.Фото кристалла интересной, но малоизвестной, микросхемы TL431, используемой в блоках питания, даёт возможность разобраться в том, как аналоговые схемы реализуются в кремнии. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Если подложка p-типа, то в полупроводнике в большей степени присутствуют положительно заряженные атомы в узлах кристаллической решётки кремния. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.


Частотная характеристика схемы с общей базой ограничивается предельной частотой усиления транзистора fα (fh21б). [Подробнее] Схема с общим коллектором Схема с общим коллектором обычно применяется для получения высокого входного сопротивления. Основные характеристики Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Более подробно работу схемы ОК можно рассмотреть на рисунке 9. Рисунок 9. Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода б-э находится в пределах 0,5…0,7В, поэтому можно принять его в среднем 0,6В, если не задаваться целью проводить расчеты с точностью до десятых долей процента. Усилительные свойства подобных каскадов остаются неизменными в еще более широком диапазоне температур, чем у схемы с коллекторной стабилизацией. И еще одно неоспоримое преимущество, — при замене транзистора не приходится заново подбирать режимы работы каскада. Естественно, что между затвором и p-областью под ним (каналом) возникает p-n переход. А поскольку n-слой значительно уже канала, то большая часть обедненной подвижными носителями заряда области перехода будет приходиться на p-слой. Чтобы узнать статический коэффициент передачи тока достаточно ток нагрузки разделить на ток базы: h21э ≈ Iн/Iб. Следует отметить, что при увеличении тока нагрузки h21э несколько уменьшается, а при увеличении напряжения питания увеличивается.

Резисторы располагаются на параллельных дорожках одинаковой ширины для снижения эффекта от любой асимметрии в сопротивлении кремния. Нет надежного способа проверить, но я думаю что это хороший кандидат. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Про такие схемы говорят, что они охвачены стопроцентной обратной связью по напряжению.

Похожие записи: